铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法

首页 AI资讯 AI技术研报 AI监管政策 AI产品测评 AI商业项目 arena全球大模型排行榜 AI产品热榜 AI 源力市场 AI新闻日报

正文
推荐专利
铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法
申请号:CN202511196667
申请日期:2025-08-26
公开号:CN120751848B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法,可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属电极,其中p型铝镓氮层与p型氮化镓接触层中设置有台壁微纳反射结构,台壁微纳反射结构包括多个阵列分布的台壁微纳反射单元,台壁微纳反射结构通过混沌‑Jaya算法优化获得,用于提升深紫外发光二极管的光提取效率。
技术关键词
蓝宝石衬底 p型氮化镓 反射单元 反射结构 电子阻挡层 深紫外发光二极管 氮化铝缓冲层 多量子阱层 电感耦合等离子体刻蚀技术 半导体光电子器件技术 接触层 粒子 元素 金属电极 反射材料 生长氮化铝 复合结构 参数 算法
添加客服微信AITNT178,进AITNT官方交流群
沪ICP备2023015588号