光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品

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光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202411746154
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119356040B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品,应用于光刻技术领域。本方法先两个最佳的预设平面位置;然后基于实际关键尺寸与仿真关键尺寸之间的偏移信息,对最佳预设聚焦平面位置进行补偿。进一步再基于线宽差值确定目标计量平面位置;最终基于目标聚焦平面位置以及目标计量平面位置,建立光刻模型。本实施例所提方案,通过确定偏移信息并对最佳预设聚焦平面进行补偿,消除了实际物理曝光与模型仿真之间的误差,再进一步重新确定最优的计量平面位置,从而能够得到光刻模型准确的建立参数,保证了光刻建模的准确性以及效率。
技术关键词
光刻模型 掩膜图形 计算机程序指令 曲线 极值 尺寸 计算机程序产品 可读存储介质 处理器 光刻技术 电子设备 存储器 误差 物理 参数
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