一种单刀单掷开关的TR电路、芯片及信号收发控制方法

本发明公开了一种单刀单掷开关的TR电路、芯片及信号收发控制方法，属于射频通信技术领域，包括功率放大器、天线和低噪声放大器，功率放大器的输出端与天线之间设有50欧姆传输线，天线与低噪声放大器的输入端之间设有1/4波长传输线，且低噪声放大器的输入端与1/4波长传输线之间并联有场效应晶体管。将发射支路的1/4波长传输线与并联场效应晶体管FET的开关结构替换为50欧姆传输线，通过50欧姆传输线进行阻抗变换实现开关关断的效果，有效减小发射支路开关的插损，减轻效应晶体管FET的线性度压力，从而提高TR电路中发射支路整体的输出功率和效率。