一种优化相变存储器电导漂移的补偿方法

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一种优化相变存储器电导漂移的补偿方法
申请号:CN202411820068
申请日期:2024-12-11
公开号:CN119760329A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种优化相变存储器电导漂移的补偿方法,包括:根据相变存储器的电导漂移模型,用实际的相变存储器件的电导漂移数据进行拟合,得到器件电导漂移系数;将所述器件电导漂移系数代入所述电导漂移模型,得到相变存储器的电导漂移曲线和平均电导值;将相变存储器的电导测量值减去根据所述电导漂移曲线得到的相变存储器的电导,得到电导随机噪声;将所述电导随机噪声加上所述平均电导值,得到相变存储器件的补偿后的电导值。本发明能有效补偿相变存储器的电导漂移。
技术关键词
相变存储器阵列 补偿方法 随机噪声 贝叶斯神经网络 深度神经网络 存储单元 曲线 电流 数据 脉冲 电压
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