一种高边NMOS驱动电路及芯片

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一种高边NMOS驱动电路及芯片
申请号:CN202411826728
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119891689A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种高边NMOS驱动电路及芯片,解决了现有技术中高边NMOS功率器件驱动电路存在的电压钳位调节范围受限、关断速度不足及电路面积较大等问题。所述驱动电路包括开启支路、第一关断支路、第二关断支路、电压钳位支路。通过电压钳位支路中齐纳二极管、P型MOS管及电阻的组合,实现对高边NMOS功率器件栅源电压的高精度钳位的同时,优化高边NMOS功率器件的关断速度;设置两条基于不同控制原理的关断支路,第一关断支路用于主要泄放电荷,第二关断支路通过电流源与电阻组合实现辅助关断操作,提升关断速度和稳定性;通过优化钳位支路和关断路径设计,降低了电路整体复杂度。
技术关键词
支路 关断 电压钳 栅极 功率器件驱动电路 齐纳二极管 输入端 输出端 开关 电阻值 信号 电流 芯片 负极 钳位 复杂度
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