一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法

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一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法
申请号:CN202411831997
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119653939A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法,其中LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和缓冲层结构;LED芯片的制备与分离方法,通过芯片工艺,将LED外延片刻蚀形成通过切割道互间隔排布的若干个LED芯片,切割道露出部分第一牺牲层,再采用腐蚀溶液通过显露的切割道将第一牺牲层溶解掉,可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离,使蓝宝石衬底可重复回收利用,还可节省研磨减薄步骤,避免现有研磨工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加,良率较低,及避免激光切割LED芯粒时侧壁产生物理损伤,影响光的输出效率等问题,进而提高LED芯片可靠性及良率。
技术关键词
U型GaN层 缓冲结构 蓝宝石衬底表面 LED芯片 LED外延片 单晶薄膜 半导体层 叠层 端点 水溶性 层叠 磁控溅射工艺 缓冲层结构 气相沉积工艺 有源区
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