摘要
本发明提供了一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法,其中LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和缓冲层结构;LED芯片的制备与分离方法,通过芯片工艺,将LED外延片刻蚀形成通过切割道互间隔排布的若干个LED芯片,切割道露出部分第一牺牲层,再采用腐蚀溶液通过显露的切割道将第一牺牲层溶解掉,可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离,使蓝宝石衬底可重复回收利用,还可节省研磨减薄步骤,避免现有研磨工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加,良率较低,及避免激光切割LED芯粒时侧壁产生物理损伤,影响光的输出效率等问题,进而提高LED芯片可靠性及良率。
技术关键词
U型GaN层
缓冲结构
蓝宝石衬底表面
LED芯片
LED外延片
单晶薄膜
半导体层
叠层
端点
水溶性
层叠
磁控溅射工艺
缓冲层结构
气相沉积工艺
有源区
系统为您推荐了相关专利信息
半导体层
静电保护功能
肖特基二极管
阻挡层
电极
LED芯片
开关管
COB电路
主控芯片
LED灯具色温
LED封装结构
导电端子
封装支架
绿光LED芯片
红光LED芯片
微型LED器件
光致发光材料
微型LED芯片
LED单元
通孔