一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器

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一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器
申请号:CN202411835138
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119787984A
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及微波毫米波技术,具体为一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器,包括SIW本体,SIW本体的两端各设有一段50Ω微带线,且50Ω微带线与SIW本体之间通过渐变过渡线相连;SIW本体上中心设由凹槽型边框组成的矩形区域,矩形区域的凹槽型边框上设多个电子元件,且在电子元件中引入了MESFET,通过利用MESFET在不同栅压下,漏源之间呈现不同的阻抗特性这一特点来拟合可变微波电阻,并通过调节MESFET上的直流栅极电压来调整阻抗值,本发明实现均衡值动态均匀调整并提升了调整范围。
技术关键词
基片集成波导均衡器 变容二极管 凹槽型 电容 金属化 微带线 电子元件 微波毫米波技术 过渡线 矩形 芯片 凹槽边框 谐振电路 介质基板 通孔 电阻 电感 栅极 间距
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