一种SBFET的仿真方法、装置及设备

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一种SBFET的仿真方法、装置及设备
申请号:CN202411836435
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119761281A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种SBFET的仿真方法、装置及设备,涉及肖特基势垒二极管技术领域,以解决现有技术中SBFET栅极电压与漏极电流的仿真转移特性曲线中电流小的问题。方法包括:获取SBFET栅极电压与漏极电流的实测转移特性曲线;对TCAD仿真模型进行预处理,得到目标TCAD仿真模型;基于目标TCAD仿真模型以及实测转移特性曲线,调整利用目标TCAD仿真模型进行转移特性仿真时目标载流子的质量参数,得到目标载流子的目标质量参数;基于目标载流子的目标质量参数,利用目标TCAD仿真模型对SBFET的栅极电压与漏极电流进行转移特性曲线仿真,得到仿真转移特性曲线;提升了SBFET栅极电压与漏极电流的仿真转移特性曲线中的电流。
技术关键词
仿真模型 曲线 参数 仿真方法 栅极 肖特基势垒二极管 电流 电压 网格 仿真设备 模块 仿真装置 处理器 精度 电子 二氧化硅 存储器 尺寸 数据
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