一种基于三模冗余表决的存储器及制造方法

本发明公开了一种基于三模冗余表决的存储器及制造方法，旨在于解决现有技术面对存储器位翻转时纠正能力有限的技术问题。该存储器包括三模冗余芯片及存储单元，通过三维堆叠封装及激光刻线侧面互连实现小型化、轻质化与高可靠性。其制造方法包括堆叠、灌封、切割、电镀金及激光刻线等步骤，各步骤严格把控工艺参数，如灌封在真空环境进行，电镀金包含表面清洗、化学镀镍和电镀金等操作，确保产品性能卓越。本发明有效提升了存储器在强辐射环境下的数据可靠性，为存储器抗辐照方面的不足提供了理想的存储解决方案。