发光二极管芯片及其制备方法

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管芯片包括衬底，依次层叠于衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述P型半导体层上依次层叠有透明导电层和P型电极；所述N型半导体层上开设有台阶部，所述台阶部上设有N型电极；所述发光二极管芯片还包括钝化层，其覆盖裸露的P型半导体层、透明导电层、P型电极、台阶部和N型电极，并在P型电极和N型电极的上方设置有用于电连接的开孔；所述P型电极和所述N型电极的顶层均设有黏附层，所述黏附层为Ti层，其厚度实施本发明，可提升发光二极管芯片的可靠性。