一种半导体器件及其制备方法

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件中，第一衬底包括贯穿第一表面和第二表面的第一通孔，第二衬底包括贯穿第三表面和第四表面的第二通孔；微波传输线在第三表面，带有NV色心的钻石底面的微波天线架设在第二通孔上，微波天线与微波传输线耦合；激光源元件在第四表面下方，光电探测器在第一表面上。本发明设计激光源与钻石芯片集成的半导体器件，用MEMS技术实现集成磁场传感器，可批量低成本生产；同时对准激光源与微波天线的通孔，提高磁场传感器的使用灵活性和可靠性；另外第一通孔侧壁倾斜的设计，提高光电探测器的荧光收集效率，提高磁场传感器的灵敏度；最后长通滤光片和反射金属层进一步提高同体积下量子磁场传感器的灵敏度。