一种高性能芯片及其制造方法

本发明公开的一种高性能芯片及其制造方法，包括芯片本体，芯片本体包括基板及沿远离基板方向依次增设的器件层、桥连部和I/O端口层；器件层上增设有主器件区及辅助器件区；I/O端口层包括散热区及端口区，散热区位于I/O端口层的中间位置处，端口区呈环状结构并环绕在散热区的外周侧，且端口区处阵列有I/O端口；桥连部包括多个层叠在一起的桥接电路层，桥接电路层内增设有用于将主器件和辅助器件连成电路的桥接轨道、连接I/O端口的引线，各桥接轨道均覆盖有绝缘层，以使得芯片拥有晶体管的数量更多、发热量更小和散热能力更强。