芯片的传导发射性能评估方法、装置、介质及电子设备

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芯片的传导发射性能评估方法、装置、介质及电子设备
申请号:CN202411855772
申请日期:2024-12-16
公开号:CN119805159A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
公开了一种芯片的传导发射性能评估方法、装置、介质及电子设备。其中,该方法包括:确定芯片中的被测电路的第一散射参数;确定用于承载芯片的电路板中与被测电路连接的目标电路的第二散射参数;确定被测电路的预定电气参数相对于时间的第一变化关系;基于第一散射参数、第二散射参数和第一变化关系,确定第一仿真参数;基于第一仿真参数,对芯片和电路板进行仿真,得到被测电路与目标电路的连接点的噪声时域波形;将噪声时域波形转换为噪声频域波形;基于噪声频域波形,确定被测电路的传导发射性能评估结果。本公开的实施例能够有效地对芯片中的被测电路进行传导发射性能评估。
技术关键词
发射性能评估方法 参数 噪声 关系 芯片 波形 电路板 电气 性能评估装置 模块 电子设备 电阻 标识 电压 频率 处理器 输入端 可读存储介质 电流
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