一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法

AITNT
正文
推荐专利
一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法
申请号:CN202411857044
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119810044B
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法,涉及半导体长晶炉技术领域,包括以下步骤:预先通过全局工业相机采集晶体引晶原始图像,并对晶体引晶原始图像标定双光圈部分作为目标特征进行裁切,获取包含双光圈部分的目标图像;对目标图像分别同步进行空心检测和晶胞成型检测;输出空心检测和晶胞成型检测的检测结果,确定当前引晶阶段是否产生晶胞。本发明有助于更准确的判断晶胞的状态,能够自动化的检测晶胞,减轻人工负担,实现检测的准确性和效率以及可靠性。
技术关键词
轮廓 线条 半导体长晶炉 光圈 二值化图像 多边形 工业相机 场景 晶体 图像分割 阶段 黑色 负担
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种类别级6D姿态估计方法、系统、介质和程序产品
姿态估计方法 矩形 物体 轮廓 矩阵
2
三维高速振动目标清晰图像获取方法、系统及介质
图像获取方法 三维位置信息 位移计 图像获取系统 二值化阈值
3
利用工作记忆力范式绩效指标评估认知疲劳数据标注方法
数据标注方法 k‑means算法 指标 轮廓系数 正确率
4
数字人美化方法、电子设备和存储介质
美化方法 融合算法 顶点 基础 像素点
5
针对蓝藻图像的分割方法、识别方法、介质和设备
三通道 轮廓图像 分割方法 融合原始图像 图像分割
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号