一种基于重掺杂硅压阻芯片的双余度压力芯体组件

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一种基于重掺杂硅压阻芯片的双余度压力芯体组件
申请号:CN202411858018
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119756672A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明属于压力传感器领域,具体地说是一种基于重掺杂硅压阻芯片的双余度压力芯体组件。其将重掺杂硅压阻芯片封装于同一烧结管座充油腔,实现相互独立双余度压力测量。同时配备膜片、陶瓷垫、压环等部件,陶瓷垫含多个连通安装腔,芯片经导线与穿过烧结管座管孔的信号引脚相连,烧结管座设导液孔并用密封钢珠封油。重掺杂硅压阻芯片采用特殊键合及硅岛设计,烧结管座也由特殊键合而成。该组件避免了现有技术因切换结构导致的体积大问题,达成小型化、轻量化,适用于严苛场景;具备双余度测量功能,保障关键系统稳定运行;硅岛设计优化芯片性能,延长寿命,降低成本,可精准稳定测量压力,适应复杂工况。
技术关键词
硅压阻 压力芯体 双余度 陶瓷垫 管座 钢珠封油 膜片 信号采集设备 单晶硅 切换结构 芯片封装 压力传感器 玻璃 导线 工况
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