半桥芯片及半桥芯片的制作方法

AITNT
正文
推荐专利
半桥芯片及半桥芯片的制作方法
申请号:CN202411860600
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119677162A
公开日期:2025-03-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半桥芯片及半桥芯片的制作方法。该半桥芯片包括形成在一衬底上的多个微型半桥单元,多个所述微型半桥单元并联设置形成半桥电路结构;所述微型半桥单元包括第一晶体管、第二晶体管和电容器,由所述第一晶体管与第二晶体管串联形成的串联电路结构与所述电容器并联设置。将传统半桥芯片的上管、下管、电容按照比例,拆分成多个微型半桥单元,由于多个微型半桥单元是并联,根据电感的并联原理,由多个半桥单元组成的半桥芯片的回路电感将显著小于传统半桥芯片。
技术关键词
晶体管 半桥电路结构 半桥芯片 电容器 半导体外延结构 导电通孔结构 衬底 半导体层 栅极结构 势垒层 电感 缓冲层 回路 电压 层叠 电流
系统为您推荐了相关专利信息
1
群体相位误差指引的电容式电压互感器异常介损诊断方法
电容式电压互感器 相位特征 偏移特征 相位误差 诊断方法
2
一种蒸汽消融效果检测方法、结构、设备及存储介质
蒸汽 电极 曲线 工质 检测结构
3
驻车空调控制方法、系统、电路、驻车空调和存储介质
开关模块 驻车空调控制方法 空调控制电路 晶体管 芯片
4
一种局部能源与碳排放权联合管理方法及系统
电池储能系统 能源调度模型 节点 碳排放权交易 有载调压变压器
5
基于PSCAD的风力发电系统暂态等值阻抗预测方法
风力发电系统 双馈感应发电机 暂态模型 大气压强 线路
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号