DRAM芯片的修复方法和DRAM芯片

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DRAM芯片的修复方法和DRAM芯片
申请号:CN202411862408
申请日期:2024-12-17
公开号:CN119694370A
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种DRAM芯片的修复方法和DRAM芯片,涉及半导体存储技术领域,公开了DRAM芯片的修复方法,包括:获取DRAM芯片的坏区地址信息;基于所述坏区地址信息对DRAM芯片的坏区单元进行屏蔽生成屏蔽结果;基于所述屏蔽结果对DRAM芯片的好区单元进行排序生成排序结果;存储所述排序结果至DRAM芯片以修复DRAM芯片。通过获取DRAM芯片的坏区地址信息并对这些坏区进行有针对性的屏蔽,可以减少因坏区导致的内存访问错误和数据丢失。对DRAM芯片的好区单元重新排序,不仅避免内存碎片产生还提高访问效率。本方法通过简单的屏蔽和排序操作,即可实现对DRAM芯片的有效修复,降低了维护的复杂性和成本。
技术关键词
DRAM芯片 修复方法 测试平台 半导体存储技术 存放数据信息 屏蔽模块 修复设备 计算机程序产品 修复装置 内存 位置映射 处理器 可读存储介质 存储器 关系
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