半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一基底，所述基底包括芯片区和位于所述芯片区周围的悬空区，所述悬空区对待连接至所述基底上超过所述基底上的所述芯片区的部分起支撑作用；在所述基底上形成介质层以及位于所述介质层内的布线层；其中，形成所述介质层前后或者同时，在所述悬空区形成第一凹槽，所述第一凹槽与位于所述芯片区的表面的高度差在设定规格内。本发明使得能够避免芯片区外侧新增的悬空区影响光刻工艺和平坦化工艺的稳定性。