摘要
本申请提供一种射频端口静电防护电路、射频芯片及射频设备,所述电路包括:n个依次级联的晶体管,各所述晶体管的栅极分别通过一第一电阻连接到负电源;前n‑1级晶体管的源漏之间分别并联一第二电阻,第一级所述晶体管的漏极接射频端口;最后一级所述晶体管的源漏之间并联一电容,且最后一级所述晶体管的源极接地,其中n为正整数。本申请相比于传统的二极管串联结构的电路,级联器件的级数更少,导通电阻更低,可实现更高等级的静电防护。
技术关键词
静电防护电路
晶体管
射频芯片
射频设备
端口
级联
NMOS管
电阻
栅极
电源
电容
二极管
功率
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