一种BCD工艺器件及制备方法

本发明属于BCD工艺、分立器件领域，涉及一种BCD工艺器件及制备方法，包括：N+衬底、外延层NEPI‑1以及外延层NEPI‑2；NEPI‑1和NEPI‑2连接处设有PBL区，NEPI‑2中PBL区右侧设有DPWELL区；NEPI‑2中DPWELL区左侧设有LDMOS的NDRIFT区和PWELL‑1区；NEPI‑2中DPWELL区右侧设有SGT‑VDMOS的SGT深槽和PWELL‑2区；NDRIFT区设有N+区；PWELL‑1区设有N+区和P+区；DPWELL区设有P+区，PWELL‑2区设有N+区和P+区；PWELL‑1区和DPWELL区上方设有栅极，PWELL‑2区上方设有金属层；本发明在同一套工艺中同时集成SGT‑VDMOS和VDMOS，并通过制备PBL区和DPWELL区来隔离SGT‑VDMOS和LDMOS，使得集成后的BCD工艺器件同时具备LDMOS器件栅、源、漏极位于芯片表面易于集成的优势和SGT‑VDMOS器件的高压低阻大电流优势。