一种碳化硅芯片抗辐照测试系统及其测试方法

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一种碳化硅芯片抗辐照测试系统及其测试方法
申请号:CN202411873397
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119322255A
公开日期:2025-01-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及碳化硅芯片技术领域,特别涉及一种碳化硅芯片抗辐照测试系统及其测试方法,包括传感器模块、数据收集处理模块、数据预测模块、预警与控制模块、通信模块、电源管理模块和安全保护模块,本发明通过传感器模块、数据收集处理模块、数据预测模块、预警与控制模块、通信模块、电源管理模块和安全保护模块的配合,能够实现自动化监控、快速响应和精确预警,满足不同领域对碳化硅芯片抗辐照性能测试的自动化需求;通过数据收集处理模块和数据预测模块的配合,利用数据收集与预处理、特征提取、模型选择与训练、模型评估、预测与异常检测,实现了对数据的准确预测和异常检测,为决策提供有力的支持。
技术关键词
碳化硅芯片 传感器模块 抗辐照 电源管理模块 测试环境参数 控制模块 数据 电流分配单元 采取行动 传感器件 电压转换单元 通信模块 信号调理电路 异常信息 机器学习算法分析 电阻温度检测器 测试方法
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