等离子体包覆目标太赫兹波散射特性的仿真方法及装置

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等离子体包覆目标太赫兹波散射特性的仿真方法及装置
申请号:CN202411873616
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119783462B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光学领域,特别涉及一种等离子体包覆目标太赫兹波散射特性的仿真方法及装置。本发明通过等离子体区及其包覆目标的几何参数构建二维模型,同时将相应的材料属性赋予该二维模型,以此得到物理模型。把等离子体的特征参量引入物理模型的等离子体区,进而获得等离子体包覆目标太赫兹波散射特性的仿真模型。利用该仿真模型开展有限元仿真模拟计算,从而得到等离子体包覆目标的电场分布。再通过目标散射到各个方向的电场与来波方向的电场比较可以确定等离子体包覆目标完整的太赫兹波散射特性。本发明能够帮助研究人员快速了解等离子体包覆目标的太赫兹波散射特性。
技术关键词
特征参量 电场 仿真模型 仿真方法 数据处理模块 低温等离子体 物理 仿真装置 方程 包裹 参数 计算机 真空 可读存储介质 存储器 处理器 电子设备 强度
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