一种单片集成共阴全彩Micro LED器件的制备方法

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一种单片集成共阴全彩Micro LED器件的制备方法
申请号:CN202411882268
申请日期:2024-12-19
公开号:CN119604097A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种单片集成共阴全彩Micro LED器件的制备方法,属于Micro LED显示技术领域;先将石墨烯量子点喷涂到Micro LED发光器件表面形成量子点涂层;将量子点涂层平均分为红光石墨烯量子点涂层区域、绿光石墨烯量子点涂层区域和蓝光石墨烯量子点涂层区域;先让红光石墨烯量子点涂层区域与N元素掺杂剂接触,再让待掺杂的绿光石墨烯量子点涂层区域与N元素掺杂剂接触,蓝光石墨烯量子点涂层区域不与N元素掺杂剂接触;本发明通过一张量子点涂层转换为红、绿、蓝三色光,以此降低RGB全彩化工艺难度、规避良率,解决高成本返修问题,同时还可以提高显示的均匀性。
技术关键词
MicroLED器件 石墨烯量子点 涂层 掺杂剂 发光器件 单片 调控石墨烯 元素 蓝宝石衬底 紫外光 氮化合物 芯片 电极 良率 氨气 烘箱 气相
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