一种双面散热的MOS结构及其封装工艺

本发明公开了一种双面散热的MOS结构及其封装工艺，一种双面散热的MOS结构封装工艺，包括以下步骤：芯片包封：芯片背面朝上倒装在粘接膜上，将芯片完全包封，研磨包封面直至暴露出芯片背面；外引脚电镀：在暴露的芯片背面和研磨后的包封面上电镀多个焊盘，并继续在每个焊盘表面电镀外引脚，继续包封焊盘和外引脚，并研磨暴露出外引脚底面，芯片背面热量从焊盘传递至外引脚后散发；芯片正面电镀：剥离粘接膜，在芯片正面电镀金属柱A，包封并研磨包封面直至暴露出金属柱A的顶面；本发明通过在芯片的背面和正面通过层层包封、研磨以及电镀等工艺形成MOS器件构成双面散热的封装结构，散热效果好，散热效率高。