轨道中硅片流转异常监测方法、系统及存储介质

本发明涉及硅片流转监测技术领域，具体为一种轨道中硅片流转异常监测方法、系统及存储介质。所述监测方法包括：提供一个大皮带流道和一个小皮带线，所述大皮带流道设有多个存放区域P1、P2、P3，…，Pn，用于存放所述硅片，每个所述存放区域均设有有光学传感器，用于实时检测硅片的存在状态及流转情况；通过X/Y/Z移栽模组实现所述硅片在花篮和所述大皮带流道之间的转移，以确保硅片能够准确地从一个工艺阶段流转至另一个工艺阶段。本发明通过引入逻辑处理单元和优化的报警处理方法，提升了CVD设备中硅片流转过程的异常监测效率。