Flash存储芯片的断电保护电路、Flash存储芯片和Flash存储器

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Flash存储芯片的断电保护电路、Flash存储芯片和Flash存储器
申请号:CN202411920907
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119832946A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本申请涉及数据存储技术领域,公开一种Flash存储芯片的断电保护电路、Flash存储芯片和Flash存储器。断电保护电路包括储能电路、反相器和放电通路,其中:储能电路与电源、反相器连接,储能电路被配置为在电源断电的情况下,生成内部电源为反相器供电;反相器与放电通路连接,反相器被配置为在利用储能电路提供的内部电源供电的情况下,向放电通路输出高电平信号;放电通路,放电通路被配置为接收到高电平信号的情况下,为Flash存储芯片放电。本公开利用储能电路和反相器,在电源出现异常断电情况下,通过储能电路生成内部电源,为反相器供电,反相器输出高电平信号导通放电通路,将内部高压进行泄放,提升了Flash存储芯片的稳定性,避免了误擦写问题。
技术关键词
断电保护电路 储能电路 反相器 存储芯片 NMOS管 Flash存储器 电源 电容 数据存储技术 电阻 PMOS管 信号 高压 栅极 二极管 输出端
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