一种稳压二极管结构、封装结构及其制作方法

本发明涉及一种稳压二极管结构、封装结构及其制作方法。本发明包括衬底；AlN形核层、GaN缓冲层、U‑GaN层、U‑GaN修复层、U‑GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN接触层、金属图形层、焊盘金属层、绝缘层；金属图形层包括间隔设置于所述GaN接触层上的欧姆接触金属层和肖特基接触金属层，并露出部分的所述GaN接触层表面；焊盘金属层包括第一焊盘金属层和第二焊盘金属层，所述第一焊盘金属层与所述欧姆接触金属层表面接触，所述第二焊盘金属层与所述肖特基接触金属层表面接触；绝缘层至少覆盖于所述金属图形层、露出的所述GaN接触层表面以及部分所述焊盘金属层表面。本发明简化了稳压二极管结构及其制作工艺，提升了芯片良率。