一种具有长载流子寿命的半导体光放大芯片

本发明涉及半导体光放大技术领域，具体提供了一种具有长载流子寿命的半发明导体光放大芯片，包括从下到上依次设置的衬底、下包层、N型载流子限制层、N型载流子存储层、下波导层、隧穿下限制层、下限制层、源层、上限制层、隧穿上限制层、上波导层、P型载流子存储层、P型载流子限制层、上包层、上接触层；本发明对半导体材料结构进行优化设计，分别限制储存的能带结构材料层，提升光放大芯片的载流子寿命，大幅降低光放大芯片的非线性效应，显著改善SOA的非线性特性，减少信号畸变，从而在光通信和传感领域中取得更佳的应用效果，这将为未来的光通信技术带来更高的效率、稳定性和经济性，使SOA成为能够替代EDFA的新一代光放大器技术。