一种基于SOC片上eNVM的管理固存坏块处理方法

本发明涉及存储技术领域，具体涉及一种基于SOC片上eNVM的管理固存坏块处理方法。本发明公开了一种基于SOC片上eNVM的管理固存坏块处理方法，所述方法包括S1、建立eNVM坏块缓存区；S2、初始化配置；S3、NAND flash出厂坏块标记；S4、eNVM写入设定页数管理；S5、eNVM写时序；S6、eNVM读出设定页数管理；S7、eNVM读时序。本发明提供的管理固存坏块处理方法，基于SOC芯片的ARM+FPGA的架构，在SOC芯片上的非易失性存储器(eNVM)中存储坏块管理数据，既使得NAND flash的存储的可靠性提高，又相应的节约了NAND flash缓存资源以及其他的硬件成本。