一种用于高压高功耗整流桥的陶瓷气密性封装结构

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及了一种用于高压高功耗整流桥的陶瓷气密性封装结构，旨在解决现有的整流桥陶瓷封装通常采用引线键合封装形式，串联芯片无法实现封装尺寸的小型化的问题，本发明包括热沉盖板、整流桥二极管芯片、陶瓷外壳和陶瓷外壳引出端，将串联二极管芯片进行了堆叠，使得粘片区的面积缩小近一倍；二极管的阳极与陶瓷外壳通过焊料直接互连，二极管的阴极通过高热导率低电阻率粘接材料连接到热沉盖板，大幅降低了互连导通电阻；热沉盖板与陶瓷外壳通过共晶焊料焊接，使得器件满足气密封装，解决了芯片实现封装尺寸小型化的问题。