ITO透明导电层的制备方法及LED芯片

本发明公开了一种ITO透明导电层的制备方法及LED芯片，制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射沉积第一ITO层并进行第一次退火；对第一次退火后的第一ITO层进行第一次刻蚀，得到图形化的第一ITO层；在图形化的第一ITO层上采用磁控溅射沉积第二ITO层并进行第二次退火；对第二次退火后的第二ITO层进行第二次刻蚀，得到图形化的第二ITO层；其中，沉积第一ITO层的溅射功率小于沉积第二ITO层的溅射功率；第一次退火的退火温度高于第二次退火的退火温度；第一次刻蚀的时间大于第二次刻蚀的时间。实施本发明，ITO透明导电层与外延结构形成良好的欧姆接触的同时具有更高的穿透率。