一种单片集成光发射芯片及其制作方法

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一种单片集成光发射芯片及其制作方法
申请号:CN202411939831
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119742660B
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种单片集成光发射芯片及其制作方法,涉及半导体器件的技术领域,该芯片包括衬底、无源波导层、第一激光器层、第二激光器层、调制器层、包层和接触层,无源波导层通过按照预定的图案刻蚀形成,包括两个输入分支和一个输出分支,第一激光器层设置在其中一个输入分支上,第二激光器层及调制器层设置在另一个光信号输入分支上,其中,两个输入分支的路径耦合到输出分支的路径中,两个激光器层上设置光栅,包层及接触层设置在这些功能层上方;本申请在芯片中集成了两种不同的激光器层,并通过预定图案的无源波导层对不同激光器层发射的光信号进行合波输出,本申请中的技术方案有效降低了光发射模块的成本,减少功耗,提高产品可靠性。
技术关键词
激光器 放大器 量子阱材料 调制器 分支 接触层 单片 波导 光栅 芯片 掩膜 衬底 p型掺杂 缓冲层 长波长 短波长 布拉格 外延 图案
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