晶体管及其制备方法

本申请公开了一种晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括：衬底层，以及依次层叠设置在所述衬底层上的键合层、栅电极层、栅介质层、沟道层，以及源漏电极层；其中，栅介质层的材料包括单晶钽酸锂，且栅介质层的厚度范围为[200nm，600nm]。本申请的技术方案旨在提供一种能实现宽波段响应、多模态感知的晶体管。