一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片

本申请提供了一种铁电晶体管、FeFET存储器阵列及芯片。铁电晶体管，包括：自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、反铁电层、阻挡层、铁电层和栅极层；或者，自下而上依次堆叠的半导体沟道、中间介电层、铁电层、反铁电层、阻挡层和栅极层；阻挡层为、、、或ONO；反铁电层为或，x为0.07至0.15。铁电层在硅晶圆厂工艺中常用且无污染，在掺杂浓度、厚度、温度和应力变化方面有稳定性；改善NVM在耐久性周期和数据保持方面的特性；能防止干扰，避免读写的延迟。