一种能够提高LED抗ESD性能的芯片制备方法

本申请提供的一种能够提高LED抗ESD性能的芯片制备方法涉及光电子技术领域。该制备方法通过对反射镜介质层以及保护层进行高温退火，从而获得致密的表面形貌；利用ICP干法刻蚀提高反射镜导电通道的侧壁外观，降低侧壁粗糙度，加之设计电流传导更优的电极结构，能够减少保护层以及介质层导电通道的缺陷，降低电流传导时在芯片中的局部拥堵现象，从而提高芯片的抗ESD性能，提高产品良率。