一种共源共栅器件封装结构及其制备方法

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一种共源共栅器件封装结构及其制备方法
申请号:CN202411945109
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119725101A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种共源共栅器件封装结构及其制备方法,涉及半导体器件封装技术领域,本申请的共源共栅器件封装结构的制备方法,包括:提供载板并在载板上设置键合膜;在键合膜上设置开关元件和化合物半导体器件;采用塑封材料封装开关元件和化合物半导体器件形成封装件;在封装件上形成电路互联层,电路互联层连接开关元件和化合物半导体器件;去除载板和键合膜形成连接体;将连接体放置于框架内,并连接电路互联层和框架上的接线点形成共源共栅器件。本申请提供的共源共栅封装结构及其制备方法,能够提高共源共栅器件封装结构的封装效率。
技术关键词
化合物半导体器件 共源共栅器件 开关元件 器件封装结构 电路 驱动芯片 材料上钻孔 半导体器件封装技术 封装件 无源器件 框架 封装体 柱体 电极 MOS管 接线 贴片 层级 栅极
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