一种化合物半导体器件封装结构

本申请提供一种化合物半导体器件封装结构，涉及半导体技术领域，包括封装框架和设置于所述封装框架上的芯片，所述芯片的集成电路结构层上至少设置有栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极和所述源电极之间形成驱动回路，所述源电极与所述漏电极之间形成功率回路，所述驱动回路与所述功率回路不相交，栅电极、源电极和漏电极的封装引脚按照GSD排序，以此解决耦合干扰的问题，使产品性能不会收到寄生电容的影响，进而提高器件的性能及可靠性。