一种共源共栅级联器件

本申请公开了一种共源共栅级联器件，涉及半导体器件技术领域，本申请的共源共栅级联器件，包括级联的耗尽型晶体管和增强型晶体管，其中，耗尽型晶体管具有第一源极、第一漏极和第一栅极，增强型晶体管具有第二源极、第二漏极和第二栅极，第一源极与第二漏极连接，第一栅极与第二源极连接形成级联结构，第一源极和第二源极之间还并联设置有调节组件，调节组件包括串联连接的调节电容和调节电阻。本申请提供的共源共栅级联器件，能够在不增大芯片面积的情况下，降低MOSFET雪崩的风险。