一种宽电压双向静电自保护电路及芯片

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一种宽电压双向静电自保护电路及芯片
申请号:CN202411953345
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119627821A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种宽电压双向静电自保护电路及芯片,双向静电自保护电路第一端连接芯片正负双向工作电压引脚、第二端接地,电路包括:串联PMOS管单元,包括第一、二PMOS管,第一PMOS管漏极连接双向静电自保护电路第一端、源极连接第二PMOS管源极,第二PMOS管漏极连接双向静电自保护电路第二端,芯片正常工作时,一只PMOS管依靠漏基极间寄生二极管导通、另一只PMOS管完全截止;辅助触发电路单元,连接在双向静电自保护电路第一、二端之间,用于在芯片正负双向工作电压引脚发生静电放电事件时,触发完全截止的PMOS管导通,电荷泄放。本发明可提供有效静电放电自保护,且允许引脚双向工作电压范围宽(远高于芯片电源电压)、对芯片制造工艺不敏感。
技术关键词
PMOS管 静电放电事件 芯片 电路单元 电压 电阻 二极管 栅极 缓冲电路 电容 衬底 输出端 三极管 输入端 阴极 阳极 偏差 电源
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