线偏振窄线宽外腔式半导体激光器

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线偏振窄线宽外腔式半导体激光器
申请号:CN202411107173
申请日期:2024-08-13
公开号:CN118630573A
公开日期:2024-09-10
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体激光器领域,尤其涉及一种线偏振窄线宽外腔式半导体激光器,包括:脊波导增益芯片、光子滤波器和耦合透镜,脊波导增益芯片与光子滤波器通过耦合透镜进行耦合;其中,脊波导增益芯片采用压应变量子阱结构,以提升TE模式增益并抑制TM模式增益;光子滤波器基于自身的双折射效应,以增强脊波导增益芯片的TE模式选择和反馈,实现窄线宽线偏振的激光输出。本发明通过外腔光反馈注入锁定技术,利用光子滤波器的双折射效应,为脊波导增益芯片提供主偏振本征模式的选择和反馈,实现窄线宽线偏振的激光输出。
技术关键词
光子滤波器 线偏振 双折射效应 弯曲波导结构 布拉格光纤光栅 量子阱结构 芯片 飞秒激光诱导 模式 半导体激光器 锁定技术 锥形光纤 光学透镜 涂层 反射率
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