检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备

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检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备
申请号:CN202411956255
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119889401B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种检测闪存芯片编程干扰的方法、闪存芯片和存储设备,所述检测闪存芯片编程干扰的方法包括步骤:在闪存芯片的一存储块中选定目标cell单元;在所述目标cell单元中写入随机数据;读取所述目标cell单元的阈值电压数据,记录为目标检测数据;以预设规则在所述存储块的预设cell单元中写入随机数据;读取所述预设cell单元的阈值电压数据,记录为参考检测数据;计算所述参考检测数据相对于所述目标检测数据的偏移量,当所述偏移量超过预设值时,判定所述闪存芯片存在严重的编程干扰。通过上述方法,能够准确评估闪存芯片的编程干扰程度,保障闪存芯片的可靠性。
技术关键词
闪存芯片 编程 数据 存储设备
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