摘要
本发明公开了一种碳化硅二极管抗浪涌电流能力的评估方法,通过晶圆测试阶段采集器件在不同温度下的反向I‑V特性数据。该技术根据漏电流随温度的变化率与器件浪涌峰值电流正相关,引入Frechet距离算法。评估流程中,根据额定浪涌电流设定判定阈值D_thresh,计算Frechet距离的总和D_total,通过比较D_total与D_thresh,即可对器件的抗浪涌电流能力做出准确评估。作为一种无损评估方法,本发明在晶圆测试阶段就能有效地筛选出具有高可靠性的器件,为器件的可靠性提供了一种解决方案,从而提高了产品质量的保障水平。
技术关键词
碳化硅二极管
抗浪涌电流能力
曲线
无损评估方法
晶圆测试阶段
反向电流
基准
绘图软件
漏电流
电压
参数
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数据
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