半导体器件和制作晶片上芯片底部填料阻挡部的方法

公开了半导体器件和制作晶片上芯片底部填料阻挡部的方法。一种半导体器件，具有：第一半导体管芯；和第一绝缘层，其被形成在第一半导体管芯上方。沟槽被形成在第一绝缘层中。第二绝缘层被形成在第一绝缘层上方。凹部自动地形成在沟槽上方的第二绝缘层中作为第二绝缘层的形成处理的部分。第二半导体管芯被安装在第二绝缘层上方。凹部在平面视图中完全包围第二半导体管芯。底部填料被分配在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间。