一种针对集成电路耦合失效的分析方法及装置

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一种针对集成电路耦合失效的分析方法及装置
申请号:CN202411969224
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119918476A
公开日期:2025-05-02
类型:发明专利
摘要
本发明具体涉及一种针对集成电路耦合失效的分析方法,包括:构建环形振荡器电路;基于预设电源参数执行所述环形振荡器电路,获取对应的初始状态下的输出电压数据;将所述初始状态输出电压数据输入耦合失效模型,获取模型输出的耦合失效状态下的输出电压数据;其中,所述耦合失效模型基于NBTI效应的反应扩散模型和HCD效应的能量驱动模型构建;获取所述初始初始状态下的输出电压数据、耦合失效状态下的输出电压数据对应的第一振荡频率数据、第二振荡频率数据,并基于所述第一振荡频率数据、第二振荡频率数据确定电路频率性能的退化分析数据。本方法实现了对NBTI效应和HCD效应的失效机制进行联合分析。
技术关键词
NBTI效应 环形振荡器电路 集成电路 电压 分析方法 频率 模型超参数 应力 PMOS晶体管 信号占空比 处理器 数据分析模块 端口 计算机程序产品 因子 栅极 分析装置
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