一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片

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一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片
申请号:CN202411970828
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119596452B
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片,涉及集成硅光子学技术领域,该芯片包括AWG和波长热调谐结构,AWG由输入波导、第一平板波导、阵列波导、第二平板波导和输出波导按照光路方向顺次连接组成,AWG用于实现波长分复用和解复用,波长热调谐结构包括热调电极和金属电极,热调电极位于阵列波导上方,其通过金属电极与外部控制电路连接,用于根据外部电压为阵列波导加热,实现AWG信道波长调谐,电压幅度增大,热调电极产生的热量增多,AWG信道波长向长波长方向漂移;本申请技术方案能够在紧凑的芯片上实现多波长密集波分复用,具有体积小可靠性高的优势,能够通过波长热调谐结构实现通带波长控制,满足多波长光网络应用需求。
技术关键词
阵列波导光栅芯片 平板波导 密集波分复用 绝缘体上硅 调谐结构 过渡结构 钝化层开口 集成硅光子学技术 控制电路 信道 容纳金属电极 电压 多波长 横截面尺寸
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