直拉法单晶硅的生长控制方法、装置、设备和介质

本发明公开了一种直拉法单晶硅的生长控制方法、装置、设备和介质。该方法包括：获取直拉法单晶硅在生长过程中的当前生长参数信息；将当前生长参数信息输入到预先训练的晶棒生长预测模型中，得到多个候选补温量对应的目标预设时长后的晶棒直径预测结果；根据多个候选补温量对应的目标预设时长后的晶棒直径预测结果，确定目标补温量，并采用目标补温量对直拉法单晶硅生长进行温度补偿。本发明通过预先训练的晶棒生长预测模型得到不同候选补温量对应的晶棒直径反馈结果，进而根据晶棒直径反馈结果确定目标补温量，提高了对单晶硅生长过程中温度补偿的准确性，进而提高单晶硅晶棒的生成质量。