摘要
本发明公开了一种AI算力芯片垂直供电结构,包括AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块;AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块自上到下依次分布,有机转接板与硅通孔转接板之间设置有若干输出电容,相邻输出电容设置有第一组焊锡球,有机转接板的下方还设有第一芯片电感及第二芯片电感,其中,第一芯片电感与有机转接板之间、第二芯片电感与有机转接板之间以及低感氮化镓模块与有机转接板之间均设置有第二组焊锡球,该结构能够避免供电回路较长而导致的线路损耗和电压动态振荡幅值较大的问题。
技术关键词
硅通孔转接板
氮化镓器件
供电结构
导电层
芯片
电压调节模块
焊锡球
电感
电容
电流
大功率
幅值
回路
损耗
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