降低单晶硅氧含量的方法

本发明公开了一种降低单晶硅氧含量的方法，降低单晶硅氧含量的方法包括：在引晶阶段、缩颈阶段、放肩阶段和转肩阶段中的一个阶段开始向炉内通入氢气；确认晶棒等径段长度达到L1；停止通入氢气。根据本发明的降低单晶硅氧含量的方法，通过在引晶阶段、缩颈阶段、放肩阶段和转肩阶段中的一个阶段开始向炉内通入氢气；且确认晶棒等径段长度达到L1后停止通入氢气。氢气可以与炉内的氧气中和，并在高温下产生水蒸气，减少炉内的氧气含量，避免单晶硅生产出的单晶硅片产生同心圆、黑芯片等缺陷，避免影响单晶硅片的效率和使用寿命；且在等径段达到L1时，炉内的氧含量已经较低，可以停止充入氢气，可以减少氢气的通入量，减少单晶硅的制造成本。