一种含有ESD保护芯片的集成式SIC-MOSFET结构

本实用新型提供了一种含有ESD保护芯片的集成式SIC‑MOSFET结构，属于晶体管技术领域，该含有ESD保护芯片的集成式SIC‑MOSFET结构包括封装层与衬底，所述封装层套设在所述衬底的外部，所述封装层与所述衬底固定连接，所述封装层与所述衬底之间设置有源极和漏极，所述源极与所述封装层固定连接，所述漏极与所述衬底固定连接，所述源极和漏极之间设置有沟道，所述沟道分别与所述源极和所述漏极固定连接，所述源极上设置有栅极，所述栅极的外侧包裹有绝缘层，所述封装层将所述栅极覆盖在其内部，本实用新型能够解决现有的SiC‑MOSFET存在瞬态放电影响结构稳定性的问题。