半导体衬底的无源器件及半导体器件

本公开提供一种无源器件或半导体衬底及其制造方法。无源器件包括在具有绝缘体衬底的衬底芯上的第一及第二上金属元件、形成在金属元件及绝缘体衬底上的钝化层、形成在钝化层上并与第一上金属元件电接触的第一导电元件及形成在钝化层上并与第二上金属元件电接触的第二导电元件。另外，器件包括形成在第一导电元件及第二导电元件之上的绝缘材料。第一导电元件及第二导电元件之间的绝缘材料定义出凹槽。器件更包括形成在第一导电元件及第二导电元件之间的凹槽中的味之素增层膜插塞元件。